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      Colloquio per Device Modeling Engineer

      4 ott 2012
      Candidato anonimo a colloquio
      San Diego, CA
      Nessuna offerta
      Esperienza positiva
      Colloquio nella media

      Candidatura

      Ho presentato la mia candidatura online. La procedura ha richiesto 4 settimane. Ho sostenuto un colloquio presso pSemi (San Diego, CA) nel mese di set 2012

      Colloquio

      Initial 45 minutes technical interview followed by an onsite interview. Asked the details about the research project on my resume. Other questions involve device physics in MOSFET and HEMT devices.

      Domande di colloquio [1]

      Domanda 1

      What equation describe the filed-charge characteristic in the N+ AlGaAs layer of the HEMT device.
      1 risposta

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